سامسونگ تولید انبوه هارد درایوهای جامد یا solid state drives (SSD) خود را آغاز کرده است که دارای حافظه و گیت های NAND نسل ششم 256 گیگابایتی سه بیتی این شرکت می باشند.
این بدان معنی است که هارد درایوها در ابتدا با 100 لایه یا گیت الکترونیکی NAND در صنعت همراه شده اند، که سرعت نوشتن 450 میکروثانیه و زمان پاسخ گویی 45 میکروثانیه را به ارمغان می آورند.
در مقایسه با SSD های 90 لایه قبلی سامسونگ، عملکرد 10 درصد افزایش و مصرف انرژی 15 درصد کاهش یافته است.
هارد های نسل ششم V-NAND فقط 13 ماه پس از شروع عرضه مدل قبلی، از راه می رسند، که چرخه تولید انبوه را حتی چهار ماه به جلو تر می اندازد.
جالب است بدانید یک هارد درایو سخت افزاری مععمولی از یک بازوی مکانیکی برای خواندن / نوشتن و برای حرکت در اطراف و خواندن اطلاعات از مکان مناسب در یک محل ذخیره سازی شده، استفاده می کند.
اما در هارد های SSD اطلاعات در عوض در میکروچیپ ها ذخیره می شوند.
این تفاوت چیزی است که باعث می شود تا سرعت هارد های SSD بسیار سریعتر و بیشتر شود.
این امر به دلایل زیادی مهم است، جدا از اینکه تولید بیش از حد هاردهای نسل جدید NAND منجر به جنگ قیمت گذاری بین تأمین کنندگان مختلف نیز خواهد شد و می تواند قیمت هاردهای SSD بازار را کاهش دهد.
“کای هیون کیونگ (Kye Hyun Kyung)”، معاون اجرایی راه حل محصول و توسعه سامسونگ الکترونیک گفت: “با آوردن فناوری تازه و نوین این حافظه 3D به تولید حجم انبوه، ما می توانیم ترکیب بندی به موقع حافظه را به دست آوریم که بطور قابل توجهی نوار سرعت و راندمان انرژی را بالا می برد.”
وی افزود: به لطف چرخه های توسعه سریعتر، سامسونگ قصد دارد بازار SSD را به سرعت گسترش دهد.
در صورت علاقه ببینید که تولید انبوه هاردهای SSD سامسونگ، با سرعت و قدرت بیشتر، یا شرکت OWC ادعا می کند که هارد SSD USB-C آن یکی از سریعترین هاست و یا رم های LPDDR5 جدید با پشتیبانی از ۵G و AI موبایل های جدید سامسونگ را قدرت می دهند، و یا ببینید که تراشه های ۳ نانومتری سامسونگ با بهبود سرعت و کاهش مصرف، دستگاه های ما را قدرت می بخشند!
